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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种有机溶剂去除装置-CN201810542518.6在审
发明人：叶玉林 -专利权人：苏州艾特森制药设备有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机溶剂去除装置，用于对流过其中的产品物料进行有机溶剂的去除操作，所述有机溶剂去除装置采用多层套筒结构，物料通过所述有机溶剂去除装置的过程中受到均匀加热，物料中的有机溶剂从物料中挥发并通过所述有机溶剂去除装置排出物料在所述有机溶剂去除装置中受热均匀，有机溶剂去除彻底；物料中有机溶剂的去除过程在连续流动通过所述有机溶剂去除装置的过程中进行，去除效率高，效果好，能够很好的满足实验和生产的要求。
有机溶剂去除有机溶剂去除产品物料多层套筒均匀加热连续流动受热均匀物料通过挥发排出生产

[实用新型]一种有机溶剂去除装置-CN201820825031.4有效
发明人：叶玉林 -专利权人：苏州艾特森制药设备有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有机溶剂去除装置，用于对流过其中的产品物料进行有机溶剂的去除操作，所述有机溶剂去除装置采用多层套筒结构，物料通过所述有机溶剂去除装置的过程中受到均匀加热，物料中的有机溶剂从物料中挥发并通过所述有机溶剂去除装置排出物料在所述有机溶剂去除装置中受热均匀，有机溶剂去除彻底；物料中有机溶剂的去除过程在连续流动通过所述有机溶剂去除装置的过程中进行，去除效率高，效果好，能够很好的满足实验和生产的要求。
有机溶剂去除有机溶剂去除本实用新型产品物料多层套筒均匀加热连续流动受热均匀物料通过挥发排出生产

[发明专利]有机溶剂的处理方法及处理材料-CN202080024017.4有效
发明人：藤村侑;川胜孝博;田中洋一 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B01J41/05 文献下载
摘要：一种有机溶剂的处理方法，从电子部件制造工序中使用的有机溶剂中去除微粒，所述有机溶剂的处理方法的特征在于，包括使处理材料与所述有机溶剂接触的工序，所述处理材料是在水中具有正电荷或负电荷且含水率为3质量％以上的处理材料一种面向电子部件制造工序的有机溶剂处理材料，通过与电子部件制造工序中使用的有机溶剂接触从而从有机溶剂中去除微粒，所述有机溶剂处理材料在水中具有正电荷或负电荷。
有机溶剂处理方法材料

[发明专利]有机溶剂脱水装置-CN201280009817.4有效
发明人：木村彰成 -专利权人：东洋纺株式会社
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： B01D15/00 文献下载
摘要：提供能够实现有机溶剂的连续精制、基本上不需要更换脱水材料、且能够从大量的有机溶剂中稳定地去除水分的装置。该有机溶剂脱水装置通过将含有水分的被处理有机溶剂导入到脱水材料并使所述被处理有机溶剂与所述脱水材料接触，脱水去除被处理有机溶剂中所含的水分，其中，脱水材料包含具有球状的形状的阳离子交换树脂，脱水材料中，
有机溶剂脱水装置

[发明专利]一种样品中残留水溶性有机溶剂的去除方法-CN201610397232.4有效
发明人：张丽华;单亦初;梁振;张玉奎 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： B01D7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种样品中残留水溶性有机溶剂的去除方法。具体是将样品与去离子水按照一定的比例充分混合，然后使用冷冻干燥的方法对混合物进行处理，在冷冻干燥过程中水与水溶性有机溶剂升华后一起被除去；对干燥后的样品重复或不重复上述混合‑冷冻干燥过程，直至样品中的残留水溶性有机溶剂含量达到指标要求本发明通过利用冷冻干燥技术，将样品与去离子水混合后进行冷冻干燥；大量的去离子水与样品中的水溶性有机溶剂竞争作用位点，因此可以有效去除与样品紧密结合的水溶性有机溶剂，克服了直接冷冻干燥方法中与样品紧密结合的水溶性有机溶剂无法被去除的问题，通过该方法去除样品中水溶性有机溶剂的效率高。
一种样品残留水溶性有机溶剂去除方法

[发明专利]一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法-CN201610181430.7有效
发明人：刘天建;王华 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，将有机溶剂去除和低温氧化工艺去除相结合，并且采用有机溶剂先去除基底表面和深孔中较易溶于有机溶剂中的光刻涂层，对于深孔中残留的光刻涂层再采用低温氧化工艺去除；有效克服了有机溶剂去除不彻底和低温氧化工艺去除速度慢、能力不强的缺陷；在不损伤含碳多孔材料基底的同时，增大光刻涂层的去除能力，将光刻涂层完全去除干净，并且保证了含碳多孔材料基底的孔状结构的结构性能和电学性能
一种用于多孔材料基底光刻涂层去除方法

[发明专利]一种回收液晶材料的方法-CN200510134689.8有效
发明人：刘冬;陈学刚;董俊卿;宫淸;何志奇 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： C09K19/00 文献下载
摘要：一种回收液晶材料的方法，该方法包括用有机溶剂溶解液晶材料，将离子吸附材料与液晶材料的有机溶液接触，去除离子吸附材料和有机溶剂，其中，所述有机溶剂为烃类溶剂与选自酮、羧酸酯和卤代烃中的至少一种溶剂的混合溶剂按照本发明提供的方法回收液晶材料，回收时使用烃类溶剂与选自酮、羧酸酯和卤代烃中的至少一种溶剂的混合溶剂溶解液晶材料，大大提高了有机溶剂对液晶材料的溶解性，使有机溶剂的用量大大减少，同时缩短了后续去除液晶材料中有机溶剂步骤的时间
一种回收液晶材料方法

[发明专利]纯化有机溶剂的方法-CN201980098025.0在审
发明人：蒋奇;大场薫 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B01J41/07 文献下载
摘要：一种纯化(i)亲水性有机溶剂、(ii)可水解有机溶剂或(iii)亲水性有机溶剂和可水解有机溶剂的混合物的方法，所述方法通过从所述亲水性有机溶剂、所述可水解有机溶剂或所述亲水性有机溶剂和可水解有机溶剂的混合物中去除离子污染物而不产生副产物杂质来进行，所述方法包括以下步骤：使所述亲水性有机溶剂、所述可水解有机溶剂或所述亲水性有机溶剂和可水解有机溶剂的混合物与离子交换树脂混合床接触；其中所述离子交换树脂混合床包括以下项的混合物：(a)弱酸阳离子型离子交换树脂和
纯化有机溶剂方法

[发明专利]一种清洗膜有机溶剂污染物的方法-CN201510015881.9有效
发明人：方亦舟;丁玉庭;刘建华 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： B01D65/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗膜有机溶剂污染物的方法，所述方法包括溶质污染物的清洗、有机溶剂污染物的清洗、有机溶剂清洗剂的去除、碱性物质的水溶液的去除4个步骤，本发明所述方法具有清洗效果好、清洗时间短的优点。
一种清洗有机溶剂污染物方法

[发明专利]一种去除BDO焦油中有机盐的方法-CN201910603868.3在审
发明人：杜军;王文路;张强;何安帮;杨勇;刘作华;范兴;陶长元 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C10C1/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种去除BDO焦油中有机盐的方法，包括以下步骤：S1、将BDO溶解于有机溶剂中，得到BDO溶液；S2、于室温条件下，在所述BDO溶液中加入无机酸，直至所述BDO溶液的PH值为3至5；S3、去除沉淀和有机溶剂本发明是针对Reppe法生产1,4‑丁二醇过程BDO焦油中有机盐类的去除，采用了物质在不同溶剂中的溶解度差异，用无机酸作为酸化试剂，将有机盐类转化为难溶于有机溶剂的无机盐，无机盐在有机溶剂溶解度较低，从而从有析出来
有机溶剂焦油去除无机盐有机盐类无机酸有机盐溶解度差异室温条件酸化试剂丁二醇溶解度溶剂沉淀溶解转化生产

[实用新型]一种有机溶剂脱水转移装置-CN202320530461.4有效
发明人：安浩田;高春坡;吕志勇;李雪;陈喜禄 -专利权人：宏济堂制药（商河）有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B65D88/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有机溶剂脱水转移装置，包括有机溶剂储罐，储罐上开设有呼吸阀和进料阀，储罐底侧开设有水分排出管道，储罐的一侧开设有有机溶剂排出管道，水分排出管道和有机溶剂排出管道上均设置有阀门和输送泵本实用新型通过在有机溶剂储罐上分别设置水分排出管道和有机溶剂排出管道，能够在有机溶剂转移前先将储罐内的少量水分转移去除，有效保证了有机溶剂下一步反应的安全。
一种有机溶剂脱水转移装置

[发明专利]一种药用颗粒的有机溶剂去除装置-CN202210104188.9在审
发明人：柯学;夏毓龙;曹杰 -专利权人：南京宁源科生物技术有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B01D17/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种药用颗粒的有机溶剂去除装置，该有机溶剂去除装置（10）包括至少一条流道（100），供液体在重力作用下自发流动的流道（100）包括至少一个入口和至少一个出口；将内含有机溶剂的药用颗粒分散于液体中形成的混悬液或乳液从入口的底部加入流道（100）内、调节液体加入的速度使流道（100）的底部形成厚度不大于2mm的液层，将过滤除菌后的气体经由入口的上部加入到流道内（100）、使得气体与液层表面充分接触将气/液界面处沉积的有机溶剂蒸汽带走并从出口本发明的装置能够及时地更新气/液界面处沉积的有机溶剂蒸汽，在不破坏药用颗粒的同时，快速完成有机溶剂的去除。
一种药用颗粒有机溶剂去除装置

[发明专利]一种含有四烷基氢氧化铵的光刻胶去除液及光刻胶的去除方法-CN201710969167.2在审
发明人：温子瑛;孙富成;王致凯 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶的去除液以及使用该去除液进行光刻胶去除的方法，该去除液包括有机溶剂和四烷基氢氧化铵，所述有机溶剂为至少具有一个吸电子官能团的有机溶剂，该去除方法可以是通过在线气液混合产生上述去除液，直接应用到带有光刻胶的晶圆表面，进行光刻胶的去除和晶圆表面清洗。本发明采用对衬底材料/衬底金属低/无腐蚀性的有机溶剂，以及氨的性质，提高湿法去胶对光刻胶和聚合物的去除效果的同时，降低对晶圆衬底的腐蚀。
有机溶剂光刻胶去除液去除四烷基氢氧化铵光刻胶去除晶圆表面衬底吸电子官能团衬底材料工艺特征气液混合聚合物良品率胶和晶圆去胶湿法清洗腐蚀金属应用

[发明专利]半导体加工设备-CN202011424663.8在审
发明人：李东根;李亭亭;项金娟;蒋浩杰;熊文娟;丁云凌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体加工设备，半导体加工设备包括：加工室，加工室内设置有对半导体进行加工的加工装置；排气管，排气管与加工室连通，用于排放加工室内产生的烟雾；有机溶剂喷雾器，有机溶剂喷雾器的喷雾管伸至排气管内，用于向排气管内喷洒有机溶剂，通过有机溶剂去除排气管内附着的粉尘颗粒。根据本申请的半导体加工设备，通过有机溶剂喷雾器去除排气管内附着的粉尘颗粒，尤其可以去除排气管内附着的光刻胶颗粒，以此减少排气管出现堵塞现象。
半导体加工设备

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010925529.X在审
发明人：王明军;刘磊 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的形成方法，在衬底上顺次形成金属导电层、牺牲层及图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩模对所述金属导电层及所述牺牲层进行图形化；然后再利用有机溶剂去除所述图形化的光刻胶层，最后再去除剩余的所述牺牲层。本发明在利用有机溶剂去除所述图形化的光刻胶层时，选择有机溶剂可仅考虑去胶能力而忽略对金属导电层顶表面的腐蚀性，由于牺牲层可以保护金属导电层不被有机溶剂腐蚀，即使选择去胶能力强的有机溶剂也不会导致金属导电层的表面产生缺陷
半导体结构形成方法

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